Laju Deposisi dan Celah Pita Energi Optik Lapisan Tipis a-Si:H yang Ditumbuhkan dengan Teknik HWC-VHF-PECVD

Andhy Setiawan, Hastiti Murti, Hasniah Aliah, Toto Winata

Abstract


Telah dilakukan studi penumbuhan lapisan tipis silikon amorf terhidrogenasi (a- Si:H) menggunakan teknik hot wire cell very high frequency plasma enhanced chemical vapor deposition (HWC-VHF-PECVD). Material a-Si:H merupakan salah satu jenis material yang diaplikasikan sebagai sel surya. Pada penelitian ini, lapisan tipis a-Si:H ditumbuhkan di atas substrat gelas dengan variasi temperatur HWC 800 C, 1000 C, dan 1400 C. Sebagai sumber gas Si digunakan gas silan (SiH4) 20 % yang terlarut dalam gas hidrogen (H2). Saat silan masuk ke dalam ruang reaktor, terlebih dahulu melewati HWC yang berada pada sistem masukan gas, sehingga akan mengalami disosiasi sebelum membentuk plasma. Berdasarkan hasil karakterisasi menggunakan difraktometer sinar-x diperoleh bahwa lapisan yang dihasilkan berstruktur a-Si:H. Penentuan tebal lapisan dan celah pita energi optik dilakukan berdasarkan data hasil karakterisasi menggunakan spektrometer UV-Vis pada rentang panjang gelombang 300-800 nm. Laju deposisi cenderung meningkat dari 6,13 Å/s (pada temperatur 800 C) hingga 14,04 Å/s (pada temperatur 1400 C). Sedangkan celah pita energi optik cenderung menurun dari 1.68 eV (pada temperatur 800 C) hingga 1.59 eV (pada temperatur 1400 C).

Kata Kunci: Lapisan tipis a-Si:H, laju penumbuhan, celah pita energi optik, HWC-VHF- PECVD.


Full Text:

PDF

Refbacks

  • There are currently no refbacks.